設(shè)備配置 2-8 chambers(可選)
襯底材質(zhì) Si、SiC、LN、LT
適用工藝 襯底及外延清洗、PR strip、Oxide、removal等
工藝指標(biāo) 顆??刂?/font>(≤10ea@01µm)、金屬離子控制(5E9 atms/cm2)
應(yīng)用領(lǐng)域 IC、功率、射頻、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研、光罩等
設(shè)備尺寸 2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*24122959(W*D*H)
技術(shù)特征:
· 機(jī)臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多尺寸兼容;
· 多層cup結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)藥液分離;
集成智能化的Auto Clean功能,可滿足高溫SPM工藝需求并降低PM頻率;