設(shè)備配置 2-8 chambers(可選)
襯底材質(zhì) Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
適用工藝 來料清洗、CMP后清洗、打標(biāo)后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗
工藝指標(biāo) 顆粒控制(≤10ea@0.1µm)、金屬離子控制(5E9 atms/cm2)
應(yīng)用領(lǐng)域 IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研、光罩等
設(shè)備尺寸 2-4腔2139*1986*2519(W*D*H)、8腔2400*3704*2950(W*D*H)
技術(shù)特征:
· 機(jī)臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多尺寸兼容;
· 晶圓表面穩(wěn)定downflow,有效控制腔體內(nèi)的靜態(tài)環(huán)境和動(dòng)態(tài)環(huán)境;
· 多達(dá)三個(gè)噴液手臂和一個(gè)固定噴頭,實(shí)現(xiàn)多種噴液方式的混合使用;
· 氣液分離機(jī)制,有機(jī)和DIW的分開排廢;